本公司目前可批量化制造高质量MoSe2薄膜。

目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。

制造方法：

化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

产品简介：

MoSe2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几十微米。
2） 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜，上面有多层区域。
3） 基底：MoSe2可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。

应用领域：

光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

典型客户包括：

MIT、加州理工、斯坦福大学；
牛津大学、曼彻斯特大学；
首尔大学、韩国科学技术院（KAIST）、成均馆大学；
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。

二硒化钼孤立晶粒

二硒化钼连续膜（含多层区域）