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名称:氮化硅片 Si3N4 尺寸:4 英寸 Si3N4 层 厚 度 : 50nm, 100nm,150nm,200nm 其他 Si3N4层厚度可定制 成膜方式:LPCVD 硅片厚度:375 μm/ 500 μm 硅衬底电阻率<<0.05 Ω·cm