CVD TMDC 二维薄膜/异质结

产品： CVD法 氧化硅基底单层石墨烯薄膜

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详细介绍

产品名称：CVD法 氧化硅基底单层石墨烯薄膜


产品性质


薄膜颜色：无色透明


产品牌号: JCGRFSIO

方阻：单层A 300-600 Ω/□ 单层B 700-1500 Ω/□ 少层 500-1200Ω/□



石墨烯薄膜的层数为单层或少层（小于10层）。该薄膜完整性高，单层覆盖率高，导电性好，迁移率可达～6000cm2/vs。

石墨烯转移至氧化硅片上，客户也可以自己提供氧化硅片，我们转移。


氧化硅参数：


类型：Ｐ型重掺杂（R:3×10-3Ωcm）


厚度：525±20μm


氧化层厚度：300nm


最大可做 7cm*7cm（可内接4英寸氧化硅基底或满转）



本产品应密封保存于干燥环境中，且温度低于35℃。严禁与易挥发物质和污染源接触。远离火源。

备注：A级单层覆盖率大于97% ，B级单层覆盖率大于85%，少层石墨烯厚度在10 层以内，可提供定制服务






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