性能参数：

• 

• 产品型号	GaN-FS-C-N-S10
  尺寸	10×10.5mm2
  厚度	350±25μm
  晶体取向	C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15°
  TTV	≤10μm
  弯曲度	≤10μm
  导电类型	N-type
  电阻率（300 K）	< 0.05Ω·cm
  位错密度	From 1x105 to 3x106cm-2
  有效面积	>90%
  抛光	Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished); or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)
  	Back Surface：0.5~1.5μm; option：1-3nm(Fine ground);<0.2nm(polished)
  包装	Packaged in a class 100 clean room environment,  in single container,under a nitrogen atmosphere.