材料名称：AgInP2S6

性质分类：半导体，非线性材料，铁电材料

禁带宽度：1.147 eV

合成方法：CVT

剥离难易程度：易

材料性质参考文献：

1,   https://doi.org/10.1039/C7RA13519J

Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach

2,   https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956

Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals

晶体结构：

能带结构：

高定向结晶XRD