三元 CVD TMDC晶体/粉体/分散液

产品： AgInP2Se6晶体

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详细介绍

材料名称：AgInP2Se6

性质分类：拓扑材料，半导体，红外材料,非线性材料，铁电材料

禁带宽度：0.622 eV

合成方法：CVT

剥离难易程度：易

保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊保存


参考文献：

A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals,Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718



材料结构：


能带结构

EDS能谱定性测试元素成分


高结晶性XRD




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