产品: GeS2 二硫化锗晶体
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详细介绍
材料名称:GaGeTe
性质分类:拓扑绝缘体,半导体,红外材料,热电材料,
禁带宽度:0.2 eV
合成方法:CVT
剥离难易程度:易
保存注意事项:晶体稳定,不需要特殊保存
晶体结构:
能带结构
EDS定性测试元素
研磨成粉体后测试XRD
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