产品: ReS2/ReSe2异质结,二硫化铼/二硒化铼异质结
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详细介绍
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基底:300nm氧化层硅片基底,金电极
结构:在金电极上定位转移剥离的少层ReSe2薄层材料,然后在ReSe2上定位转移剥离的薄层ReS2材料。形成三个可独立测试的FET结构(ReSe2,ReSe2+ReS2异质结,ReS2).
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