二维材料微纳加工-原位测试

产品： MoSe2 FET阵列，CVD MoSe2 FET阵列

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详细介绍

背栅器件结构：金电极阵列/CVD 单层MoSe2阵列/300nm SiO2/Si



1） 器件种类1，10*10或者15*15   FET阵列， 5um沟道，300nm氧化硅硅片基底，背栅结构







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