性能参数：

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• 产品型号	GaN-FS-C-SI-S10
  尺寸	10×10.5mm2
  厚度	350±25μm
  晶体取向	C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15°
  TTV	≤10μm
  弯曲度	≤10μm
  导电类型	Semi-Insulating
  电阻率（300 K）	> 106Ω·cm
  位错密度	From 1x105to 3x106cm-2
  有效面积	>90%
  抛光	Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished); or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)
  	Back Surface：0.5~1.5μm; option：1-3nm(Fine ground)；<0.2nm(polished)
  包装	Packaged in a class 100 clean room environment, in single container,under a nitrogen atmosphere.