产品: 机械剥离HfS2 FET器件
提示说明:纳米材料工艺和制备可能会有改变 所有纳米材料均支持按需定制 下单前联系客服确认产品详细信息。
详细介绍
器件结构: 金电极/HfS2/300nmSiO2/Si 背栅FET
HfS2, 少层(~3层,~5层),多层~10层
温馨提示:北京北科新材科技有限供应产品仅用于科研,不能用于人体。部分网站示意图源自互联网,图片仅供参考,请以实际测试结果为准,如有侵权请联系我们立即删除。产品参数仅供参考,请以实际值为准! |
留言咨询 |
- 上一款: 预沉淀不等距电极硅片
- 下一款: 石墨烯FET(机械剥离)