二维材料微纳加工-原位测试
产品： MoSe2 FET，二硒化钼晶体管
编号：BK2022062008
CAS号：
价格： ￥2250
货号：BK2022062008
规格：
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详细介绍
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背栅器件结构：金电极/CVD 单层MoSe2（或者机械剥离单层MoSe2）/300nm SiO2/Si
1） 器件种类1， CVD三角MoSe2单层单晶， 5um沟道，300nm氧化硅硅片基底，背栅结构
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- 上一款： MoSe2 FET阵列，CVD MoSe2
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