二维材料微纳加工-原位测试
产品： MoS2 FET，二硫化钼晶体管，单层二硫化钼晶体管
编号：BK2022062009
CAS号：
价格： ￥2250
货号：BK2022062009
规格：
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详细介绍
器件结构： 导电硅片/300nm 氧化硅层/三角MoS2 或者手撕单层MoS2/Au+Cr+Au电极
样品实例
1) 机械剥离单层MoS2 背栅FET（单层，5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）
2） 机械剥离少层MoS2背栅FET（~3层，5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）
3） 机械剥离多层MoS2 背栅FET (~5层， 5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）
4) CVD三角MoS2 单晶 ，背栅FET（单层，5um宽沟道，300nm氧化硅片）
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