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第一作者:Liulin Lv
通讯作者:彭笑刚,李炯昭
通讯单位:浙江大学
发光材料与学术QQ群:529627332
研究背景
近年来,具有三维量子限制区的胶体点状半导体纳米晶(量子点:QDs)因其强烈的尺寸依赖性发射特性和溶液可加工性而得到广泛研究。经过40年的广泛研究,关于QDs的大小和尺寸分布的综合控制已经有了很大的进步,但具有可控小平面的点状QDs的研究还远远不够。
成果简介
近日,浙江大学彭笑刚教授,李炯昭报道了通过两步合成策略,所合成的闪锌矿CdSe QDs具有预期的对称性,即立方体形状的QDs被包裹在六个相等的(100)面上。
图1.闪锌矿CdSe QDs。
要点1:立方体QDs制备
合成第一步包括以羧酸镉为Cd的前驱体和表面配体合成小尺寸(3 nm)的CdSe QDs的种子,即形核。十八烯中的Se悬浮液(Se-SUS)是Se的前驱体,十八烯是非配位溶剂。
第二步是生长立方体形状的CdSe QDs,首先,将Se前驱体转变为十八烯中的Se溶液(Se-ODE),然后将Se-ODE在270 ℃下滴加到步骤1中合成的Cd前驱体、溶剂和种子的反应混合物中。
其次,在加入CdSe种子之前,将硬脂酰氯(R‘CoCl)加入到脂肪酸镉溶液(Cd(RCOO)2)中,以获得混合镉盐(CdClx(RCOO)2−x,x<1)的光学透明溶液。结果显示,用0.083 mg的种子与4 ml的十八烯反应,在种子生长4 h后,可得到7.4 mg立方体QDs和1.7mg非立方体QDs,合成的立方体QDs的总收率约为80%。
图2. CdSe QDs结构表征。
要点2:生长机制
研究发现,单分散尺寸、独特的刻面结构和单晶性使得CdSe QDs具有最窄的系综光致发光(半高全宽为52 meV)。此外,成核阶段通过降低作为唯一配体来源Cd(RCOO)2的浓度,可以选择性地形成小尺寸的CdSe量子点(≤3 nm)作为种子,适合于立方形量子点的生长。
同时,以可溶性CdClx(RCOO)1−x(x=0.1∼0.2)形式引入的氯离子配位体虽然成核效果不佳,但在热力学上稳定了(100)晶面,同时在动力学上加速了Se离子在(100)晶面上的沉积。
图3. 纳米晶的形貌演变。
小结
研究结果表明,通过配体控制成核和生长,同时合成尺寸和表面结构均为单分散的QDs完全可行。
参考文献
Liulin Lv, et al, Monodisperse CdSe Quantum Dots Encased in Six (100) Facets via Ligand-Controlled Nucleation and Growth, J. Am. Chem. Soc, 2020
DOI: 10.1021/jacs.0c06914
https://dx.doi.org/10.1021/jacs.0c06914
信息来源:奇物论
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