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产品信息：
名称：锰离子插层MXene NB2CTx
官能团：-OH-F-O-Cl（可定制）
尺寸：1-5um
纯度：99%
储存条件：低温干燥密封务必惰性气氛中保存
工艺：HF处理或HCl+LiF处理
在Ti3C2Tx中引入高导电性的锰离子以制备一种高性能电磁屏蔽材料。文中探讨了Ti3C2Tx的阳离子插层机理，锰离子倾向于与界面含氧末端成键，以Mn 3d和O 2p的轨道杂化的方式结合。阳离子插层可以扩大层间距，提升Ti3C2Tx的电导率。Ti3C2Tx中引入高导电性的锰离子后，制备的MSCs表现优异的储能能力和突出的电磁干扰屏蔽效率
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