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瞬态吸收-原位测试系统
瞬态吸收光谱 氮化硅薄膜 单晶硅基片 氮化镓晶片
二维材料器件 设计加工 光电综合测试系统 光电流测试系统
光谱测试系统 二维材料转移系统
价格区间
500元    501-1000元    1001-2000元    2000元以上

图片 编号/CAS号 货号 名称/规格 价格

瞬态吸收 BK20201103
  瞬态吸收
￥ 会员可见
2英寸氮化铝厚膜晶片 BK2020081715
  2英寸氮化铝厚膜晶片
BK2020081715-08 双抛厚度：[4,5)μm
BK2020081715-07 双抛厚度：[3,4)μm
BK2020081715-06 双抛厚度：[2,3)μm
BK2020081715-05 双抛厚度：[1,2)μm
BK2020081715-04 单抛厚度：[4,5)μm
BK2020081715-03 单抛厚度：[3,4)μm
BK2020081715-02 单抛厚度：[2,3)μm
BK2020081715-01 单抛厚度：[1,2)μm
￥ 会员可见
2英寸氮化镓厚膜晶片（Mg掺杂） BK2020081714
  2英寸氮化镓厚膜晶片（Mg掺杂）
BK2020081714-02 双抛4.5±0.5μm
BK2020081714-01 单抛4.5±0.5μm
￥ 会员可见
2英寸氮化镓厚膜晶片（Si掺杂） BK2020081713
  2英寸氮化镓厚膜晶片（Si掺杂）
BK2020081713-04 双抛20±2μm
BK2020081713-03 双抛4.5±0.5μm
BK2020081713-02 单抛20±2μm
BK2020081713-01 单抛4.5±0.5μm
￥ 会员可见
2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂） BK2020081712
  2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂）
BK2020081712-04 双抛20±2μm
BK2020081712-03 双抛4.5±0.5μm
BK2020081712-02 单抛20±2μm
BK2020081712-01 单抛4.5±0.5μm
￥ 会员可见
4英寸氮化镓厚膜晶片（Si掺杂） BK2020081711
  4英寸氮化镓厚膜晶片（Si掺杂）
BK2020081711-02 20±2μm
BK2020081711-01 4.5±0.5μm
￥ 会员可见
4英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂） BK2020081710
  4英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂）
BK2020081710-02 20±2μm
BK2020081710-01 4.5±0.5μm
￥ 会员可见
非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（SP面） BK2020081709
  非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（SP面）
BK2020081709-04 Semi-insulating5*20.5mm2
BK2020081709-03 Semi-insulating5*10.5mm2
BK2020081709-02 Un-doped5*20.5mm2
BK2020081709-01 Un-doped5*10.5mm2
￥ 会员可见
非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（M面） BK2020081708
  非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（M面）
BK2020081708-04 Semi-insulating5*20.5mm2
BK2020081708-03 Semi-insulating5*10.5mm2
BK2020081708-02 Un-doped5*20.5mm2
BK2020081708-01 Un-doped5*10.5mm2
￥ 会员可见
非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（A面） BK2020081707
  非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（A面）
BK2020081707-04 Semi-insulating5*20.5mm2
BK2020081707-03 Semi-insulating5*10.5mm2
BK2020081707-02 Un-doped5*20.5mm2
BK2020081707-01 Un-doped5*10.5mm2
￥ 会员可见
10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Fe掺杂） BK2020081706
  10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Fe掺杂）
BK2020081706-09 Double-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081706-08 Double-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081706-07 Double-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081706-06 N-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081706-05 N-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081706-04 N-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081706-03 Ga-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081706-02 Ga-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081706-01 Ga-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
￥ 会员可见
10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Si掺杂） BK2020081705
  10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Si掺杂）
BK2020081705-09 Double-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081705-08 Double-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081705-07 Double-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081705-06 N-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081705-05 N-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081705-04 N-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081705-03 Ga-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081705-02 Ga-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081705-01 Ga-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
￥ 会员可见
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