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SiO2/Si基底MoS2 （氧化膜厚度非300nm）

编号：BKTMDC123039

CAS号：

价格： 
￥1274


货号：BKTMDC123039-02

规格：

数量：

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详细介绍

本公司目前可批量化制造高质量单层MoS2薄膜。

目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。

基本性质:

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。

制造方法：

化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

产品简介：

MoS2薄膜分为多种：
1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3）多层MoS2 连续薄膜。
4）基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

其氧化层厚度为300nm或其他厚度。

应用领域：

光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

典型客户包括：

MIT、加州理工、斯坦福大学；
牛津大学、曼彻斯特大学；
首尔大学、韩国科学技术院（KAIST）、成均馆大学；
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。

单层MoS2孤立晶粒　　　　　　　　　　　　　　单层MoS2连续薄膜

MoS2-Mapping(600).jpg

MoS2-PLTest（600).jpg

AFM data of MoS2

Raman shift of MoS2

二氧化硅/硅基底二硫化钼薄膜

石英基底二硫化钼薄膜

蓝宝石基底二硫化钼薄膜

单层MoS2 多层MoS2

参考文献：

1）Gao, Min-Rui, Jin-Xia Liang, Ya-Rong Zheng, Yun-Fei Xu, Jun Jiang, Qiang Gao, Jun Li, and Shu-Hong Yu. "An efficient molybdenum disulfide/cobalt diselenide hybrid catalyst for electrochemical hydrogen generation." Nature communications 6 (2015): 5982.
https://www.nature.com/articles/ncomms6982
2） Radisavljevic, Branimir, Aleksandra Radenovic, Jacopo Brivio, I. V. Giacometti, and A. Kis. "Single-layer MoS 2 transistors." Nature nanotechnology 6, no. 3 (2011): 147.
https://www.nature.com/articles/nnano.2010.279
3） Wang, Qing Hua, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman, and Michael S. Strano. "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides." Nature nanotechnology 7, no. 11 (2012): 699.
https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193
4）顾品超, 张楷亮, 冯玉林, 王芳, 苗银萍, 韩叶梅, and 张韩霞. "层状二硫化钼研究进展." 物理学报 65, no. 1 (2016): 18102-018102.
http://wulixb.iphy.ac.cn/fileup/PDF/2016-1-018102.pdf

硅基底0.5mm
氧化膜厚度300nm
二硫化钼单层1-2nm厚度

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