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ITO基底MoS2

编号：BKTMDC123035

CAS号：

价格： 
￥1400


货号：BKTMDC123035-03

规格：

数量：

提示说明：纳米材料工艺和制备可能会有改变所有纳米材料均支持按需定制下单前联系客服确认产品详细信息。

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详细介绍

本公司目前可批量化制造高质量单层MoS2薄膜。

目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。

基本性质:

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。

制造方法：

化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

产品简介：

MoS2薄膜分为多种：
1）单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2）由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3）多层MoS2 连续薄膜。
4）基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

其氧化层厚度为300nm或其他厚度。

应用领域：

光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

典型客户包括：

MIT、加州理工、斯坦福大学；
牛津大学、曼彻斯特大学；
首尔大学、韩国科学技术院（KAIST）、成均馆大学；
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。

单层MoS2孤立晶粒　　　　　　　　　　　　　　单层MoS2连续薄膜

MoS2-Mapping(600).jpg

MoS2-PLTest（600).jpg

AFM data of MoS2

Raman shift of MoS2

二氧化硅/硅基底二硫化钼薄膜

石英基底二硫化钼薄膜

蓝宝石基底二硫化钼薄膜

单层MoS2 多层MoS2

参考文献：

1）Gao, Min-Rui, Jin-Xia Liang, Ya-Rong Zheng, Yun-Fei Xu, Jun Jiang, Qiang Gao, Jun Li, and Shu-Hong Yu. "An efficient molybdenum disulfide/cobalt diselenide hybrid catalyst for electrochemical hydrogen generation." Nature communications 6 (2015): 5982.
https://www.nature.com/articles/ncomms6982
2） Radisavljevic, Branimir, Aleksandra Radenovic, Jacopo Brivio, I. V. Giacometti, and A. Kis. "Single-layer MoS 2 transistors." Nature nanotechnology 6, no. 3 (2011): 147.
https://www.nature.com/articles/nnano.2010.279
3） Wang, Qing Hua, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman, and Michael S. Strano. "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides." Nature nanotechnology 7, no. 11 (2012): 699.
https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193
4）顾品超, 张楷亮, 冯玉林, 王芳, 苗银萍, 韩叶梅, and 张韩霞. "层状二硫化钼研究进展." 物理学报 65, no. 1 (2016): 18102-018102.
http://wulixb.iphy.ac.cn/fileup/PDF/2016-1-018102.pdf

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