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| 产品型号 | GaN-T-C-N-C100 |
| 尺寸 | Ф 100 ± 0.1 mm |
| 厚度 | 4.5±0.5 μm, 20±2 μm |
| 晶体取向 | C-plane(0001) ± 0.5° |
| 导电类型 | N-type(Si-doped) |
| 电阻率（300 K） | < 0.05Ω·cm |
| 载流子浓度 | > 1x1018cm-3 |
| 迁移率 | ~ 200cm2/V•s |
| 位错密度 | Less than 5x108 cm-2(estimated by FWHMs of XRD) |
| 衬底结构 | GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP) |
| 有效面积 | >90% |
| 包装 |
Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs or single container , under a nitrogen atmosphere. |
扫描图：
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