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纯度：≥99.5单相
粒度：D50:5~10微米
二硅化钴
化学式CoSi2。分子量115. 11。深褐色斜方系晶体。熔点1277°C,
相对密度5.3。在1200°C下可被氧化，侵蚀其表面;与氟在低温下反应;与氯在300°C反应。被氟化氢，稀、浓硝酸及硫酸侵蚀，也能被熔融的强碱剧烈侵蚀。与沸热的浓盐酸缓慢作用。CoSi2具有低电阻率,
良好的热稳定性，目前在大规模集成电路中作为接触得到广泛使用。并且CoSi2有和Si相似的晶体结构，因此可以再Si衬底上形成外延CoSi2/Si结构，用来研究外延金属硅的界面特性。硅化物纳米结构在纳米电子学的一系列领域还有着潜在的重要应用:半导体硅化物纳米结构(FeSi2) 可以用来制备纳米电子有源器件，在硅基纳米发光器件中可能有十分重要的应用;金属性硅化物(CoSi2， NiSi2) 可以再未来的量子计算机、容错太赫兹纳米电路计算机中用作纳米导线，由于可以在硅衬底.上制备外延硅化物导线，它们的性能因为没有晶粒间界将会比普通的金属纳米线大大提高;金属性纳米机构也可以在分子电子学中作为.- -个分子或几个分子的纳米电极。
在半导体组件的工艺中，多在内部电连接点例如栅极、源极或漏极上，形成低阻值的二硅化钴(CoSi2)层。-般而言，二硅化钴的制造方法是先将金属钴(Co)层形成于一含硅的衬底.上，再经过两次的退火处理
(anneal ingtreatment)将钴转变成二硅化钴。其中，第一次的退火处理是先令钴扩散到含硅的衬底内，以形成一硅化钴(CoSi)层。第二次的退火处理则是将硅化钴层转变成低阻值的二硅化钴，藉以降低组件的电阻值。
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