Particuology｜Ti₃C₂Tx MXene的多离子插层

已传文件：photo/1686883386.jpeg

研究摘要

MXene相邻层之间的插层离子可以改变层间环境并对电化学离子存储容量的产生影响。为了进一步探究MXene层限域的多离子效应与电化学储能之间的关系，向Al3+预插层的MXene中通过自发过程嵌入Co2+，Mn2+与Ni2+。基于（002）晶面取向的移动发现，插层的多离子通过应力可以调控MXenes的层间环境，从而诱导c轴上的晶格收缩。考虑到离子存储的机理-性能之间的关系，多离子在MXene层间空间的占位能够影响电化学性能。该工作为多离子与MXene之间的关系提供新的见解。该工作由吉林师范大学Shichong Xu、鲁铭、中科院沈阳金属所张炳森教授研究团队发表在《Particuology》期刊上。

图文导读

总结

      在MXene相邻层的限域空间内，多离子通过静电相互作用成功地嵌入到Al离子预嵌入的Ti3C2Tx MXene中。这些离子的插层可以保留MXene的2D特征，并为原子级层间环境的调控提供了一种新的方法。多离子在MXene层间的存在会形成空间位阻与静电势垒，以传输并存储电解液离子。对多离子与MXene相互关系的探究能够为插层电极的设计提供指导。