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刻蚀工艺：用化学或物理方法有选择性地从某一材料表面去除不需要那部分的过程，获得目标图形。
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀的刻蚀剂是等离子体，是利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被刻蚀的工艺。
特点：能实现各向异性刻蚀，从而保证细小图形转移后的保真性。
缺点：造价高。
湿法刻蚀是通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的方法。大多数湿法刻蚀是不容易控制的各向同性刻蚀。
特点：适应性强，表面均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料。
缺点：图形刻蚀保真想过不理想，刻蚀图形的最小线难以掌控。
信息来源：低维 昂维
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