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二维材料微纳加工-原位测试

二维材料转移系统	异质结定制	定制硅片耗材	微纳器件
电极定制	瞬态吸收光谱	单晶硅基片	氮化镓晶片
FET器件	二维材料器件	设计加工	光电综合测试系统
光电流测试系统	光谱测试系统

价格区间

500元 501-1000元 1001-2000元 2000元以上

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编号/CAS号

货号

名称/规格

价格

BK2020081710

	4英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂）
BK2020081710-02	20±2μm
BK2020081710-01	4.5±0.5μm

￥3960

BK2020081709

	非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（SP面）
BK2020081709-04	Semi-insulating5*20.5mm2
BK2020081709-03	Semi-insulating5*10.5mm2
BK2020081709-02	Un-doped5*20.5mm2
BK2020081709-01	Un-doped5*10.5mm2

￥3600

BK2020081708

	非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（M面）
BK2020081708-04	Semi-insulating5*20.5mm2
BK2020081708-03	Semi-insulating5*10.5mm2
BK2020081708-02	Un-doped5*20.5mm2
BK2020081708-01	Un-doped5*10.5mm2

￥3600

BK2020081707

	非极性/半极性氮化镓自支撑衬底（A面）
BK2020081707-04	Semi-insulating5*20.5mm2
BK2020081707-03	Semi-insulating5*10.5mm2
BK2020081707-02	Un-doped5*20.5mm2
BK2020081707-01	Un-doped5*10.5mm2

￥3600

BK2020081706

	10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Fe掺杂）
BK2020081706-09	Double-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081706-08	Double-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081706-07	Double-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081706-06	N-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081706-05	N-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081706-04	N-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081706-03	Ga-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081706-02	Ga-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081706-01	Ga-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2

￥2340

BK2020081705

	10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Si掺杂）
BK2020081705-09	Double-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081705-08	Double-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081705-07	Double-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081705-06	N-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081705-05	N-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081705-04	N-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081705-03	Ga-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081705-02	Ga-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081705-01	Ga-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2

￥2340

BK2020081704

	10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（非掺杂）
BK2020081704-09	Double-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081704-08	Double-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081704-07	Double-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081704-06	N-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081704-05	N-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081704-04	N-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2
BK2020081704-03	Ga-抛光位错密度：1~5 x 105 cm-2
BK2020081704-02	Ga-抛光位错密度：5~9 x 105 cm-2
BK2020081704-01	Ga-抛光位错密度：1~3 x 106 cm-2

￥1800

BK2020081703

	2英寸氮化镓自支撑晶片（Fe掺杂）
BK2020081703-18	Double-抛光等级：A-2
BK2020081703-17	Double-抛光等级：A-1
BK2020081703-16	Double-抛光等级：S-2
BK2020081703-15	Double-抛光等级：S-1
BK2020081703-14	Double-抛光等级：C
BK2020081703-13	Double-抛光等级：B
BK2020081703-12	N-抛光等级：A-2
BK2020081703-11	N-抛光等级：A-1
BK2020081703-10	N-抛光等级：S-2
BK2020081703-09	N-抛光等级：S-1
BK2020081703-08	N-抛光等级：C
BK2020081703-07	N-抛光等级：B
BK2020081703-06	Ga-抛光等级：A-2
BK2020081703-05	Ga-抛光等级：A-1
BK2020081703-04	Ga-抛光等级：S-2
BK2020081703-03	Ga-抛光等级：S-1
BK2020081703-02	Ga-抛光等级：C
BK2020081703-01	Ga-抛光等级：B

￥9999

BK2020081702

	2英寸氮化镓自支撑晶片（Si掺杂）
BK2020081702-18	Double-抛光等级：A-2
BK2020081702-17	Double-抛光等级：A-1
BK2020081702-16	Double-抛光等级：S-2
BK2020081702-15	Double-抛光等级：S-1
BK2020081702-14	Double-抛光等级：C
BK2020081702-13	Double-抛光等级：B
BK2020081702-12	N-抛光等级：A-2
BK2020081702-11	N-抛光等级：A-1
BK2020081702-10	N-抛光等级：S-2
BK2020081702-09	N-抛光等级：S-1
BK2020081702-08	N-抛光等级：C
BK2020081702-07	N-抛光等级：B
BK2020081702-06	Ga-抛光等级：A-2
BK2020081702-05	Ga-抛光等级：A-1
BK2020081702-04	Ga-抛光等级：S-2
BK2020081702-03	Ga-抛光等级：S-1
BK2020081702-02	Ga-抛光等级：C
BK2020081702-01	Ga-抛光等级：B

￥9999

BK2020081701

	2英寸氮化镓自支撑晶片（非掺杂）
BK2020081701-18	Double-抛光等级：A-1
BK2020081701-17	Double-抛光等级：S-2
BK2020081701-16	Double-抛光等级：S-1
BK2020081701-15	Double-抛光等级：A-2
BK2020081701-14	Double-抛光等级：C
BK2020081701-13	Double-抛光等级：B
BK2020081701-12	N-抛光等级：A-1
BK2020081701-11	N-抛光等级：S-2
BK2020081701-10	N-抛光等级：S-1
BK2020081701-09	N-抛光等级：A-2
BK2020081701-08	N-抛光等级：C
BK2020081701-07	N-抛光等级：B
BK2020081701-06	Ga-抛光等级：A-1
BK2020081701-05	Ga-抛光等级：S-2
BK2020081701-04	Ga-抛光等级：S-1
BK2020081701-03	Ga-抛光等级：A-2
BK2020081701-02	Ga-抛光等级：C
BK2020081701-01	Ga-抛光等级：B

￥9999

BK20200001

TSV通孔

询价

BK20200002

PDMS工艺

询价

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